专利详情

专利名称	一种低温等离子体装置
申请号	CN200910013250.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101998747A	公开（授权）日	2011.03.30
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	杨永进;张劲松;孙家言;孙博
主分类号	H05H1/30(2006.01)I	IPC主分类号	H05H1/30(2006.01)I;B01J19/12(2006.01)I
专利有效期	一种低温等离子体装置至一种低温等离子体装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及等离子体技术以及化工合成领域，具体为一种适合碳氢化合物高温热裂解以及利用碳氢化合物高温气体进行化工合成的低温等离子体装置。该装置将行波态微波波导/同轴转换结构与直流高压等离子体放电结构实现有机的结合，直流等离子体的悬浮阴极同时也构成了波导同轴转换的内导体，直流等离子体的接地空心阳极作为波导同轴转换的外导体，通过这一复合结构将微波高效率地作用在直流等离子体上，使常规的柱状等离子体变成丝状等离子体。利用这种复合结构所构成的等离子体装置具有电极寿命长、能量利用率高、工作稳定性高、适用范围广的特点，可以解决现有技术中存在的能量利用率低、电极烧蚀严重或者稳定性差等问题。