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一种微波激发的超临界干燥装置及方法

  • 申请号:CN201210438693.3
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN102929110A
  • 公开(公开)日:2013.02.13
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种微波激发的超临界干燥装置及方法
申请号 CN201210438693.3 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102929110A 公开(授权)日 2013.02.13
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 于明岩;景玉鹏;郭晓龙;赵士瑞;徐昕伟
主分类号 G03F7/40(2006.01)I IPC主分类号 G03F7/40(2006.01)I
专利有效期 一种微波激发的超临界干燥装置及方法 至一种微波激发的超临界干燥装置及方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种微波激发的超临界干燥装置及方法,该超临界干燥装置包括:腔室(3);设置于腔室(3)内盛载待测硅片(5)的石英装置(4);设置于腔室(3)外且与石英装置(4)连通的真空抽水装置(1);设置于腔室(3)内侧壁上的金属转盘(9);设置于腔室(3)内与金属转盘(9)连接的电机(10);设置于腔室(3)内的微波发生装置(11);以及设置于腔室(3)内的黄色光源(12)。利用本发明,解决了微细结构的纳米图形在干燥过程中发生的断裂、倒伏或粘连等问题。

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