专利详情

专利名称	一种降低Si表面粗糙度的方法
申请号	CN201210254007.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102751184A	公开（授权）日	2012.10.24
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张苗;母志强;薛忠营;陈达;狄增峰;王曦
主分类号	H01L21/306(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/306(2006.01)I
专利有效期	一种降低Si表面粗糙度的方法至一种降低Si表面粗糙度的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种降低Si表面粗糙度的方法，属于半导体领域，包括步骤：首先提供一至少包括SixGe1-x层以及结合于其表面的Si层的层叠结构，采用选择性腐蚀或机械化学抛光法去除所述SixGe1-x层，获得具有残留SixGe1-x材料的Si层粗糙表面，然后采用质量比为1∶3~6∶10~20的NH4OH:H2O2:H2O溶液对所述Si层粗糙表面进行处理，去除所述残留SixGe1-x材料，以获得光洁的Si层表面。本发明可以有效降低去除应变硅表面的SixGe1-x材料残余，降低应变硅表面的粗糙度，获得光洁的应变硅表面，为后续的器件制造工艺带来了极大的便利。本发明工艺简单，适用于工业生产。