专利详情

专利名称	防止积留水液的热氧化系统和方法
申请号	CN201110109430.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102760640A	公开（授权）日	2012.10.31
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李春龙
主分类号	H01L21/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/00(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I
专利有效期	防止积留水液的热氧化系统和方法至防止积留水液的热氧化系统和方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种热氧化系统，包括：反应炉，用于湿法氧化制备氧化硅；水汽产生室，原料气体在所述水汽产生室内反应生成水汽，通过管道输送进入所述反应炉；原料气体进气管道，用于向所述水汽产生室提供所述原料气体；载气进气管道，用于向所述反应炉提供所述载气；加热器，耦合至所述原料气体进气管道，用于加热所述原料气体以促使其反应生成水汽；其特征在于，还包括加热装置，耦合至所述载气进气管道。依照本发明的热氧化系统以及方法，由于对载气进行了加热，避免了液态水存留在进气管道中，控制了薄膜生长质量，提高了半导体器件的可靠性。