专利详情

专利名称	一种半导体结构及其制造方法
申请号	CN201010296962.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102437088A	公开（授权）日	2012.05.02
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;骆志炯;朱慧珑
主分类号	H01L21/768(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/768(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I
专利有效期	一种半导体结构及其制造方法至一种半导体结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底(101)上沉积层间介质层(105)，以覆盖源/漏区(102)以及位于所述半导体衬底上的栅极堆叠；刻蚀所述层间介质层以及源/漏区形成到达源/漏区内部的接触孔(110)；在所述源/漏区的暴露区域上形成共形的非晶化物层(111)；在所述非晶化物层(111)表面形成金属硅化物层(113)；在接触孔(110)中填充接触金属(114)。相应地，本发明还提供一种半导体结构。本发明通过刻蚀源/漏区，使其暴露区域包括底部以及侧壁，增大了接触孔中接触金属和源/漏区的接触面积，从而减小了接触电阻；采用选择性沉积的方式形成非晶化物，有效地消除了由非晶化离子注入所引起的末端缺陷。