专利详情

专利名称	一种应用辉光放电质谱分析非导体材料的新方法
申请号	CN201010606816.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102175754A	公开（授权）日	2011.09.07
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	钱荣
主分类号	G01N27/68(2006.01)I	IPC主分类号	G01N27/68(2006.01)I
专利有效期	一种应用辉光放电质谱分析非导体材料的新方法至一种应用辉光放电质谱分析非导体材料的新方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种应用辉光放电质谱分析非导体材料的新方法，其包括如下具体步骤：a)将待分析的非导体材料加工成条状样品；b)清洗条状样品，烘干；c)将金属铟置入石英坩埚中，加热至熔融状态；d)使条状样品表面包覆一层金属铟膜；e)再次清洗条状样品，烘干；f)进行直流辉光放电质谱分析。使用本发明的分析方法：无需研磨样品，无需抛光，前处理简单，避免了污染；操作简便，大大减少了金属铟的使用量，降低了分析成本；放电与导体样品类似，容易稳定且信号稳定性好，信噪比(S/N)理想，缩短了分析时间和提高了分析效率；能适合块状或晶体材料的分析，普适性强，应用范围广；具有很好的放电稳定性以及分析重复性。