专利详情

专利名称	氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法
申请号	CN201110033772.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102176496A	公开（授权）日	2011.09.07
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	彭文博;曾湘波;刘石勇;姚文杰;谢小兵;肖海波;杨萍;王超;俞育德
主分类号	H01L31/20(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/20(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I;H01L31/075(2006.01)I
专利有效期	氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法至氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池的制作方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底清洗干净，然后放入等离子体增强型化学气相沉积系统，烘烤并抽高真空；步骤2：在衬底上制作中间层；步骤3：在中间层上制作电极层，其是通过氢气调制本征层(I层)能带结构改进太阳电池的光吸收性能和界面性能，进而提高电池的效率。