专利详情

专利名称	金属栅CMP后的制程监控方法
申请号	CN201110150043.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102810492A	公开（授权）日	2012.12.05
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	杨涛;赵超;李俊峰;闫江;陈大鹏
主分类号	H01L21/66(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/66(2006.01)I;G01B15/02(2006.01)I
专利有效期	金属栅CMP后的制程监控方法至金属栅CMP后的制程监控方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种金属栅CMP后的制程监控方法，包括以下步骤：在晶圆表面形成金属栅结构以及测试结构；确定金属栅材料厚度量测目标及误差范围；对金属栅结构以及测试结构中的金属进行CMP；以及使用XRR设备测量测试结构中金属栅材料的厚度，判断CMP工艺是否合格。依照本发明的量测方法，由于采用了XRR设备及技术，避免了对于晶圆的破坏性测试，使得测试、监控过程更为高效，器件可靠性提高。另外，本发明的实施例中选择的是对金属栅厚度的量测，本领域技术人员也可以根据本发明的精神实质将该监控方法扩展到对于其他半导体器件组成部分的监控。