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化学机械平坦化后清洗晶圆的方法

  • 申请号:CN201110149721.5
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN102810459A
  • 公开(公开)日:2012.12.05
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 化学机械平坦化后清洗晶圆的方法
申请号 CN201110149721.5 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102810459A 公开(授权)日 2012.12.05
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 杨涛;赵超;李俊峰
主分类号 H01L21/02(2006.01)I IPC主分类号 H01L21/02(2006.01)I;B08B3/02(2006.01)I
专利有效期 化学机械平坦化后清洗晶圆的方法 至化学机械平坦化后清洗晶圆的方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提供了一种化学机械平坦化后清洗晶圆的方法,包括:将晶圆放置在晶圆夹持机构上驱动晶圆旋转机构,以带动晶圆夹持机构和晶圆共同旋转;进行第一次化学清洗,通过清洗液供应悬梁向晶圆表面供应化学清洗液,其中清洗液供应悬梁与晶圆表面间隔一定距离;进行第一次去离子水清洗,通过清洗液供应悬梁向晶圆表面供应去离子水,清洗掉化学清洗液和清洗产物;进行第二步工艺清洗,进一步巩固清洗效果;对晶圆进行干燥。依照本发明的晶圆清洗方法,由于采用非接触式的悬梁供应清洗液和去离子水清洗晶圆表面,减少或消除了接触式刷洗过程可能带来的晶圆表面划伤问题,提高晶圆器件的良率。

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