专利详情

专利名称	CuInSe₂纳米材料及其制备方法与应用
申请号	CN201010238826.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101927983A	公开（授权）日	2010.12.29
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	万立骏;王建军;郭玉国
主分类号	C01B19/00(2006.01)I	IPC主分类号	C01B19/00(2006.01)I
专利有效期	CuInSe₂纳米材料及其制备方法与应用至CuInSe₂纳米材料及其制备方法与应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种CuInSe2纳米材料及其制备方法与应用。该方法，包括下述步骤：1)将含铜化合物、含硒化合物及油胺于反应装置a中混匀，将含铟化合物及油胺于反应装置b中混匀，将装置a和装置b分两步加热升温，同时用惰性气体排除装置a和装置b中的氧气和水；2)将装置b冷却至60-160℃，将装置a继续升温至130-280℃后，将装置b中的含铟化合物及油胺加入到装置a中进行反应，反应完毕用有机溶剂洗涤，得到所述CuInSe2纳米材料。本发明利用常规的反应物可制备出非常均匀的CuInSe2纳米材料，而且利用制备的CuInSe2纳米材料和P3HT制备的复合材料表现出优异的光电性能。

交易流程

1、源头对接，价格透明

2、平台验证，实名审核

3、合同监控，代办手续

4、专员跟进，交易保障

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