带硅支撑框架的全镂空结构光调制热成像焦平面阵列
- 申请号：CN200920311669.7
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN201561801U
- 公开(公开)日：2010.08.25
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 带硅支撑框架的全镂空结构光调制热成像焦平面阵列 | ||
| 申请号 | CN200920311669.7 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN201561801U | 公开（授权）日 | 2010.08.25 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 焦斌斌;陈大鹏;欧毅;叶甜春 |
| 主分类号 | G01J5/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G01J5/02(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I |
| 专利有效期 | 带硅支撑框架的全镂空结构光调制热成像焦平面阵列 至带硅支撑框架的全镂空结构光调制热成像焦平面阵列 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本实用新型涉及用于获取并转换红外信号的传感元件，尤其涉及一种带有硅支撑框架的全镂空光调制热成像焦平面阵列，本实用新型由外框和内框构成，该内框为网格状，设置在所述的外框内，形成多个镂空单元；每个镂空单元内设置一个微悬臂单元，该微悬臂单元与构成镂空结构的内框或外框相连接。 | ||
交易流程
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专利 -
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平台保障
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