一种光子晶体微腔激光器
- 申请号:CN201010556376.2
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号:CN102044845A
- 公开(公开)日:2011.05.04
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种光子晶体微腔激光器 | ||
| 申请号 | CN201010556376.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN102044845A | 公开(授权)日 | 2011.05.04 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明(设计)人 | 张家顺;王玥;吴远大;安俊明;王红杰;李建光;胡雄伟 |
| 主分类号 | H01S5/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/20(2006.01)I;H01S5/10(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种光子晶体微腔激光器 至一种光子晶体微腔激光器 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种光子晶体微腔激光器,包括一光子晶体微腔和一输出波导,所述光子晶体微腔是在SOI衬底顶层硅上完整的二维平板三角晶格空气孔型光子晶体中间去掉若干个空气孔而形成的,是边长为4个晶格常数的正六边形H4型微腔,与该光子晶体微腔相邻的三层空气孔由内至外分别为最邻近空气孔、次邻近空气孔及第三邻近空气孔,在该光子晶体微腔中注入稀土离子和非金属离子,形成有源区;所述输出波导是从所述光子晶体微腔的某个端点处开始沿光子晶体Γ-K方向去掉一排空气孔而形成的单线缺陷。这种结构具有较大的微腔体积,能够提高微腔的Q值,减少微腔的模式数量,提高微腔对有源介质发光的增强效果。 | ||
交易流程
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专利 -
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