专利详情

专利名称	一种存储器及其制造方法
申请号	CN201110143077.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102810541A	公开（授权）日	2012.12.05
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	许高博;徐秋霞
主分类号	H01L27/115(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/115(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	一种存储器及其制造方法至一种存储器及其制造方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本申请公开了一种存储器及其制造方法。该存储器的结构包括：半导体衬底；沟道区，位于所述半导体衬底上；栅堆叠，位于所述沟道区上，所述栅堆叠包括隧穿层、电荷俘获层、阻挡层和栅电极层，所述隧穿层位于所述沟道区上，所述电荷俘获层位于所述隧穿层上，所述阻挡层位于所述电荷俘获层上，所述栅电极层位于所述阻挡层上；源/漏区，位于所述沟道区两侧且嵌入所述半导体衬底中；所述电荷俘获层包括第一电荷俘获层和第二电荷俘获层，其中，第二电荷俘获层位于第一电荷俘获层的上面和下面中的至少一处。