专利详情

专利名称	一种制备表面混合调制晶硅太阳能电池的方法
申请号	CN200910080054.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101840953A	公开（授权）日	2010.09.22
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	贾锐;朱晨昕;陈晨;李维龙;张培文;刘明;刘新宇;叶甜春
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种制备表面混合调制晶硅太阳能电池的方法至一种制备表面混合调制晶硅太阳能电池的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制备表面混合调制晶硅太阳能电池的方法，包括：在晶硅基板正面和背面制备绒面结构；将正面和背面均有绒面结构的晶硅基板放置于扩散炉中进行扩散，形成双面PN结；在晶硅基板正面淀积Si薄膜，退火形成硅纳米晶；在晶硅基板正面淀积金属薄膜，退火形成金属纳米晶；在晶硅基板正面和背面生长Si3N4减反膜；采用丝网印刷在晶硅基板的背面印刷的正电极，并进行热处理固化；然后采用丝网印刷在晶硅基板的正面印刷的负电极，并进行热处理固化；合金退火，制备出表面硅纳米晶和金属纳米晶混合调制晶硅太阳能电池。本发明通过表面硅纳米晶和金属纳米晶混合调制方式，充分地转换短波长范围内的光，使其被晶硅电池吸收，达到高效转换的目的。