专利详情

专利名称	一种制备双面PN结太阳能电池的方法
申请号	CN200910080050.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101840952A	公开（授权）日	2010.09.22
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	贾锐;朱晨昕;陈晨;李维龙;张培文;李昊峰;赵盛杰;刘明
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种制备双面PN结太阳能电池的方法至一种制备双面PN结太阳能电池的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制备双面PN结太阳能电池的方法，包括：在晶硅基板的正反面制备绒面结构；将正反两面均有绒面结构的晶硅基板放置入扩散炉中进行扩散，形成双面PN结结构；在晶硅基板背面光刻并腐蚀，形成太阳能电池正极栅槽；在晶硅基板的正反面氧化形成SiO2膜，并沉积Si3N4膜；在晶硅基板的正反面涂覆光刻胶，光刻曝光显影，形成电池背面正负极图形和电池正面负电极图形；在晶硅基板的正反面蒸发金属电极，并进行剥离工艺；合金退火，制备出双面PN结太阳能电池。本发明利用晶硅电池的双PN结来工作，最终达到高效转换的目的，具有工艺步骤少、简单、能与大生产线上的工艺兼容，易于实现大规模生产。