半导体结构及其形成方法
- 申请号：CN200910242509.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN101840920A
- 公开(公开)日：2010.09.22
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 申请号 | CN200910242509.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101840920A | 公开（授权）日 | 2010.09.22 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 骆志炯;尹海洲;朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体结构及其形成方法 至半导体结构及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提出一种半导体结构，包括：衬底；形成在所述衬底上的栅极，以及形成在所述衬底中且位于所述栅极两侧的源极和漏极；分别形成在所述源极和漏极之上的提升部，所述提升部的高度接近所述栅极的高度；和形成在所述提升部和所述栅极之上的金属硅化物层和接触孔。通过本发明实施例中在源/漏极上增加的提升部，可以降低栅极和源/漏极之间的高度差，使得接触孔的形成变得更为容易。 | ||
交易流程
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