专利详情

专利名称	一种在SiC材料上生长SiO₂钝化层的方法
申请号	CN201110147251.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102810465A	公开（授权）日	2012.12.05
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李博;申华军;白云;汤益丹;刘焕明;周静涛;杨成樾
主分类号	H01L21/04(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/04(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I
专利有效期	一种在SiC材料上生长SiO₂钝化层的方法至一种在SiC材料上生长SiO₂钝化层的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法，属于在半导体材料上生长钝化层的技术领域。所述方法包括采用PECVD在SiC材料上生长SiO2钝化层和对SiO2钝化层致密。所述方法能够在较低的温度条件下实现SiO2钝化层在SiC材料上的生长，SiO2钝化层在退火后的折射率从1.465减小到1.455，SiO2钝化层的致密程度高，能够满足SiC材料对SiO2钝化层的要求。并且，本发明提供的在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法能够用于厚度在100nm以上的SiO2钝化层的生长。

交易流程

1、源头对接，价格透明

2、平台验证，实名审核

3、合同监控，代办手续

4、专员跟进，交易保障

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