专利详情

专利名称	各向异性可调制的磁性薄膜结构、磁敏传感器及制备方法
申请号	CN201110143364.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102810630A	公开（授权）日	2012.12.05
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	余天;王文秀;韩秀峰
主分类号	H01L43/08(2006.01)I	IPC主分类号	H01L43/08(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I
专利有效期	各向异性可调制的磁性薄膜结构、磁敏传感器及制备方法至各向异性可调制的磁性薄膜结构、磁敏传感器及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种GMR或TMR磁性纳米多层薄膜结构、磁敏传感器及制备方法，该磁性纳米多层薄膜结构依次包括基片和其上的缓冲层，参考磁性层、中间层、探测磁性层和覆盖层，其中所述参考磁性层利用了铁磁层/非磁层界面诱导的垂直各向异性，通过调节参考磁性层中铁磁层厚度使得其易磁化方向为面内，设为XY方向，或垂直膜面，设为Z方向。本发明利用铁磁层/非磁层界面诱导的垂直各向异性调制参考磁性层的磁各向异性，在铁磁层较薄处获得易磁化轴垂直膜面的参考层，在铁磁层较厚处获得易磁化轴在面内的参考层，再利用钉扎结构及诱导磁场生长实现参考磁性层和探测磁性层磁各向异性在三维空间的调制，其磁敏探测器集成度高、工艺简单，热稳定性和一致性好。