一种基于电谐振的太赫兹双频带超材料
- 申请号：CN201210272158.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号：CN102800986A
- 公开(公开)日：2012.11.28
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种基于电谐振的太赫兹双频带超材料 | ||
| 申请号 | CN201210272158.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102800986A | 公开（授权）日 | 2012.11.28 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 贺连星;孙晓玮;郭万易;李彪;滕腾;孙浩;张祁莲 |
| 主分类号 | H01Q15/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01Q15/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种基于电谐振的太赫兹双频带超材料 至一种基于电谐振的太赫兹双频带超材料 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种基于电谐振的太赫兹双频带超材料，包括衬底和金属层单元，所述金属层单元上设有电磁谐振单元；所述电磁谐振单元包括两个开口谐振环和一个闭合环；所述闭合环位于两个开口谐振环之间；所述金属层单元以周期性阵列的方式铺设在所述衬底上。本发明结构简单，制作成本低，具有强谐振、宽频带、双频点的优点，可以有效地应用于各种要求宽带设计的太赫兹功能器件。 | ||
交易流程
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