一种半导体存储器件
- 申请号：CN201110137561.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102800359A
- 公开(公开)日：2012.11.28
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种半导体存储器件 | ||
| 申请号 | CN201110137561.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102800359A | 公开（授权）日 | 2012.11.28 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;许中广;霍宗亮;龙世兵;谢常青;张满红;李冬梅 |
| 主分类号 | G11C16/06(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C16/06(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种半导体存储器件 至一种半导体存储器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开一种半导体存储器件，包括：存储单元；每个所述存储单元包括字线、位线、阻变存储器件、选通器件和存储电容；所述阻变存储器件的一端与所述位线相连，另一端与所述选通器件的源极/漏极相连；所述选通器件的栅极与一条所述字线相连，所述选通器件的漏极/源极与另一条所述字线相连；所述存储电容的一端与所述选通器件的漏极/源极相连，另一端接地。本发明所公开的半导体存储器件，同时具有动态存储器的功耗低，速度快的优点，又能够实现非挥发性的存储。 | ||
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