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一种半导体存储器件

  • 申请号:CN201110137423.4
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN102800358A
  • 公开(公开)日:2012.11.28
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种半导体存储器件
申请号 CN201110137423.4 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102800358A 公开(授权)日 2012.11.28
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 刘明;许中广;霍宗亮;张满红;谢常青;龙世兵;李冬梅
主分类号 G11C16/06(2006.01)I IPC主分类号 G11C16/06(2006.01)I
专利有效期 一种半导体存储器件 至一种半导体存储器件 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开一种半导体存储器件,包括:存储单元;每个所述存储单元包括字线、位线、浮栅存储器件和动态存储电容;所述浮栅存储器件的栅极与一条所述字线相连,源极与另一条所述字线相连,漏极与所述位线相连;所述动态存储电容的一端与所述浮栅存储器件的源极相连,另一端接地。本发明所公开的半导体存储器件,同时具有动态存储器的功耗低,速度快的优点,又能够实现非挥发性的存储。

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