专利详情

专利名称	一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法
申请号	CN201210304134.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102800589A	公开（授权）日	2012.11.28
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	柴展;陈静;罗杰馨;伍青青;王曦
主分类号	H01L21/331(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/331(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L29/737(2006.01)I
专利有效期	一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法至一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法，该方法通过在所述外基区注入杂质由硼改为氟化硼，并将注入能量和剂量限定在特定范围内，有效解决了薄膜SOI上（小于等于150nm）的SiGe-HBT器件的集电极电阻大幅增加和最高截止频率Ft参数明显降低的问题。同时，相对于增大集电区注入剂量和掺杂浓度的其它方法，该方法避免了集电区掺杂浓度增加导致的器件耐压降低。此外，该制备工艺简单，易于实现。