光辅助方法制备铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层
- 申请号：CN201010118289.9
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN101814553A
- 公开(公开)日：2010.08.25
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 光辅助方法制备铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层 | ||
| 申请号 | CN201010118289.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101814553A | 公开（授权）日 | 2010.08.25 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄富强;王耀明 |
| 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 专利有效期 | 光辅助方法制备铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层 至光辅助方法制备铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明主要涉及铜铟镓硒(CIGS)光吸收层薄膜的一种制备方法，本发明的特点在于首先采用磁控溅射法在基片上沉积Cu-In-Ga预制合金膜，然后在光的辅助下，将Cu-In-Ga预制合金膜与固态Se源反应生成CIGS薄膜。本发明所提供的CIGS薄膜的制备方法，薄膜退火时间短，退火温度低，能耗少，薄膜质量高，均匀性好，工艺简单，适合工业化生产，特别适合用于制备柔性CIGS薄膜太阳电池。 | ||
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