HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器
- 申请号：CN201010123021.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN101814545A
- 公开(公开)日：2010.08.25
- 法律状态：实质审查的生效
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 | ||
| 申请号 | CN201010123021.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101814545A | 公开（授权）日 | 2010.08.25 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张宇;王国伟;汤宝;任正伟;徐应强;牛智川;陈良惠 |
| 主分类号 | H01L31/11(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/11(2006.01)I |
| 专利有效期 | HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 至HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器，包括：一GaSb衬底，利用分子束外延方法在GaSb衬底上依次制备出GaSb缓冲层、GaSb收集区、InAs/GaSb超晶格基区、AlGaAsSb基区、AlGaAsSb发射区以及GaSb盖层；一上电极，采用溅射的方法制作在GaSb盖层的表面，该上电极的中间开有一光的入射口；一下电极，采用溅射的方法制作在GaSb衬底的下表面。 | ||
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言