专利详情

专利名称	一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法
申请号	CN200910078555.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101814435A	公开（授权）日	2010.08.25
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	付晓君;张海英;徐静波;黎明
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I
专利有效期	一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法至一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法，该方法包括：在P++型硅衬底上生长一层二氧化硅介质，形成场效应晶体管衬底；在该场效应晶体管衬底上涂一层光刻胶，光刻曝光；蒸发源漏金属，形成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的源漏；蒸发背面金属，形成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的栅极；将ZnO纳米线沉积到已经蒸发源漏金属的场效应晶体管衬底上；进行退火处理，完成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的制备。本发明具有成效明显，工艺简单易行，经济适用和可靠性强的优点，容易在微波、毫米波化合物半导体器件制作中推广和应用。