专利详情

专利名称	高磁场高均匀度核磁共振超导磁体系统
申请号	CN201010593131.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102136337A	公开（授权）日	2011.07.27
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	王秋良;戴银明;赵保志;胡新宁;严陆光;王厚生;陈顺中
主分类号	H01F6/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01F6/00(2006.01)I;H01F6/04(2006.01)I;H01F6/06(2006.01)I;A61B5/055(2006.01)I
专利有效期	高磁场高均匀度核磁共振超导磁体系统至高磁场高均匀度核磁共振超导磁体系统	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种具有高磁场高均匀度的核磁共振超导磁体系统，包括主线圈(1)和具有正反电流组合的磁场均匀度补偿线圈(19)，由24个使用NbTi/Cu低温超导线材绕制的超导线圈组成，在800mm的室温空间内产生9.4T磁场，可实现在300mm的范围内磁场的不均匀度小于0.1ppm。所述的超导磁体系统内部装有超导磁体和液氦(4)的低温容器(2)提供超导磁体正常运行所要求的4K低温环境。铁磁屏蔽系统使超导磁体具有好的电磁兼容性。本发明超导磁体系统具有结构紧凑，运行费用低廉的优点。