专利详情

专利名称	一种基于电磁转矩变化的导体中缺陷的无损检测方法
申请号	CN201210291201.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102818838A	公开（授权）日	2012.12.12
申请（专利权）人	中国科学院研究生院	发明（设计）人	王晓东
主分类号	G01N27/82(2006.01)I	IPC主分类号	G01N27/82(2006.01)I
专利有效期	一种基于电磁转矩变化的导体中缺陷的无损检测方法至一种基于电磁转矩变化的导体中缺陷的无损检测方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种基于电磁转矩变化的导体中缺陷的无损检测方法，属于电力、电子工业、冶金工业、半导体材料、石油能源技术领域。本方法首先在圆柱形永磁体的一侧设置转矩传感器，驱动圆柱形永磁体旋转，使不含缺陷的导体与旋转的圆柱形永磁体靠近，测得圆柱形永磁体的旋转角速度随时间变化的参考曲线，再测得带有缺陷的永磁体的旋转角速度随时间变化的多个标定曲线，使永磁体靠近被测导体，得到测量曲线，将测量曲线与标定曲线进行比较，得到被测导体的缺陷尺寸。本发明方法适用于线材、管材以及薄板类的导体，且被测导体无须运动，简化了测量条件、测量过程和测量成本，简化了测量设备，易于实现自动化和小型化，可以应用到更多的领域和环境中。