一种半导体结构
- 申请号:CN201190000067.5
- 专利类型:实用新型
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN202601575U
- 公开(公开)日:2012.12.12
- 法律状态:
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专利详情
专利名称 | 一种半导体结构 | ||
申请号 | CN201190000067.5 | 专利类型 | 实用新型 |
公开(公告)号 | CN202601575U | 公开(授权)日 | 2012.12.12 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 |
主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I |
专利有效期 | 一种半导体结构 至一种半导体结构 | 法律状态 | |
说明书摘要 | 本实用新型提供一种半导体结构,包括:半导体衬底;栅极堆叠,其形成于所述半导体衬底上;源/漏区,其形成于半导体衬底中;层间介质层,其覆盖所述栅极堆叠和所述源/漏区;接触孔,其贯穿所述层间介质层并延伸到所述源/漏区内部;接触金属,其填充所述接触孔;其中,所述接触金属延伸入所述源/漏区内的部分与源/漏区之间在侧壁和底部存在共形的金属硅化物层;其中金属硅化物层与所述源/漏区之间存在共形的非晶化物层。本实用新型通过刻蚀源/漏区,使其暴露区域包括底部以及侧壁,增大了接触孔中接触金属和源/漏区的接触面积,从而减小了接触电阻;采用选择性沉积的方式形成非晶化物,有效地消除了由非晶化离子注入所引起的末端缺陷。 |
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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平台保障
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