专利详情

专利名称	一种具有周期叠层铁电薄膜的电容及其制备方法
申请号	CN201110070503.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102693837A	公开（授权）日	2012.09.26
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	赵宁;万里兮;曹立强
主分类号	H01G4/33(2006.01)I	IPC主分类号	H01G4/33(2006.01)I;H01G4/08(2006.01)I
专利有效期	一种具有周期叠层铁电薄膜的电容及其制备方法至一种具有周期叠层铁电薄膜的电容及其制备方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明涉及一种具有周期叠层铁电薄膜的电容及其制备方法。所述电容包括衬底，阻挡层，粘附层，下部电极，铁电薄膜和上部电极，铁电薄膜为包括至少一个周期性结构单元的叠层结构，周期性结构单元为BaTiO3、SrTiO3和BaxSr1-xTiO3三种铁电材料层的排列组合。本发明采用BaTiO3、SrTiO3和BaxSr1-xTiO3三种材料的周期叠层结构制备的铁电薄膜电容，在兼备较高介电常数、较低介电损耗的同时，显著降低了铁电薄膜的退火温度，从而提高了铁电薄膜的制备工艺与微电子工艺的兼容性。这种周期叠层铁电薄膜结构电容及其制备方法将在半导体器件、系统级封装无源器件集成技术等领域具有潜在的应用前景。