专利详情

专利名称	基于Y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法
申请号	CN201010231175.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101938083A	公开（授权）日	2011.01.05
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	孔端花;朱洪亮;梁松
主分类号	H01S5/12(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/12(2006.01)I;H01S5/068(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I;H01S5/40(2006.01)I
专利有效期	基于Y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法至基于Y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法，包括：在N型磷化铟衬底上依次外延制作InP缓冲层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层和光栅层；制作无源波导区，另一侧为有源波导区；制作光栅；在有源波导区和无源波导区上依次外延制作光栅盖层、光限制层和电接触层；在电接触层上向下刻蚀出Y型脊波导；在光栅层的上面及Y型脊波导的表面生长二氧化硅绝缘层；将Y型脊波导上面的二氧化硅绝缘层腐蚀掉；在有源波导区上的Y型脊波导两臂的中间制作第一电隔离沟，在有源波导区上的DFB区和SOA区之间制作第二电隔离沟；在第一电隔离沟的两侧及第二电隔离沟的两侧制作P面电极；将N型磷化铟衬底减薄；在减薄后的N型磷化铟衬底的下面制作N面电极，完成器件的制作。