专利详情

专利名称	氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法
申请号	CN201010251509.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101937951A	公开（授权）日	2011.01.05
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	汪炼成;郭恩卿;刘志强;伊晓燕;王国宏
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法至氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法，包括：步骤1：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓LED层；步骤2：在氮化镓LED层上采用电镀或键合的方法制作一转移衬底；步骤3：减薄转移衬底，然后抛光；步骤4：用激光刻划方法在转移衬底的表面上刻划图形，作为光刻对准标记；步骤5：在作好光刻对准标记的转移衬底上采用光刻方法，通过前烘，匀胶，曝光，显影，坚膜，在转移衬底上面的中间形成光刻胶图形，该光刻胶图形的面积小于转移衬底的面积；步骤6：选择腐蚀液腐蚀掉未被光刻胶图形覆盖的转移衬底，使转移衬底四周形成台面；步骤7：剥离光刻胶，清洗吹干，完成转移衬底的腐蚀。