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一种改善半导体材料光致发光测试效果的测试系统

  • 申请号:CN201010262401.6
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 公开(公开)号:CN101949844A
  • 公开(公开)日:2011.01.19
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种改善半导体材料光致发光测试效果的测试系统
申请号 CN201010262401.6 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101949844A 公开(授权)日 2011.01.19
申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 张永刚;顾溢
主分类号 G01N21/63(2006.01)I IPC主分类号 G01N21/63(2006.01)I
专利有效期 一种改善半导体材料光致发光测试效果的测试系统 至一种改善半导体材料光致发光测试效果的测试系统 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种改善半导体材料光致发光测试效果的测试系统,包括激光器、光谱测量系统和光路部件,光路部件包括反射镜、透镜和抛物面镜,并构成测试光路。激光器激发的激光经过反射镜转换方向后由透镜聚焦直接照射在被测样品上,被测样品反射的激光通过抛物面镜收集转向准直后以宽光束形式送达光谱测量系统。本发明中的激光器根据半导体材料的特性选择合适的发射波长,从而获得较高的光致发光强度,提升光致发光测试能力及改善测试的灵敏度,并且本发明对光谱测量系统也没有限制和特殊要求,实现方式相当灵活。

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