专利详情

专利名称	对发光二极管进行光电热老化综合检测的系统及方法
申请号	CN201110435006.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102608509A	公开（授权）日	2012.07.25
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	赵丽霞;杨华;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽
主分类号	G01R31/26(2006.01)I	IPC主分类号	G01R31/26(2006.01)I;G01M11/02(2006.01)I
专利有效期	对发光二极管进行光电热老化综合检测的系统及方法至对发光二极管进行光电热老化综合检测的系统及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种对多颗发光二极管器件在加速老化的同时，原位进行光、电、热综合测试的系统及方法。此检测系统包括发光二极管负载电路板(1)、电参数发生及测试装置(2)、多通道驱动控制装置(3)、光探测装置(4)、光探测控制装置(5)、光信号处理分析装置(6)、恒定温度控制装置(7)、温度探测装置(8)以及中央监控及处理计算机(9)。利用本发明，不仅能够对多颗发光二极管进行加速老化，而且可以通过计算机设定时间节点，对每一个发光二极管器件的电学、光学及热学热性进行逐个测试，以便全面了解LED发光二极管器件的整体物理特性。