专利详情

专利名称	一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法
申请号	CN201210067557.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102623633A	公开（授权）日	2012.08.01
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	发明（设计）人	李润伟;胡本林;潘亮;尚杰
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;C08L79/00(2006.01)I
专利有效期	一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法至一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种电阻型随机存储器的存储单元，包括绝缘衬底、绝缘衬底表面的第一电极、第一电极表面的中间层，以及中间层表面的第二电极，该中间层是由质子酸掺杂在聚西佛碱中亚胺双键(C＝N)的氮原子上而形成的质子酸掺杂的聚西佛碱薄膜构成。与普通聚西佛碱薄膜作为中间层的存储单元相比，本发明采用质子酸掺杂的聚西佛碱薄膜作为中间层，能够有效降低存储单元的功耗、实现存储单元的自整流，并且存储单元阻变过程平缓、无突变，从而达到阻变性质较好的一致性，因此在存储器件领域具有潜在的应用价值。