次声传感器(InSYS2008)
- 申请号：CN201130166840.2
- 专利类型：外观设计
- 申请（专利权）人：中国科学院声学研究所
- 公开(公开)号：CN301859764S
- 公开(公开)日：2012.03.14
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 次声传感器(InSYS2008) | ||
| 申请号 | CN201130166840.2 | 专利类型 | 外观设计 |
| 公开（公告）号 | CN301859764S | 公开（授权）日 | 2012.03.14 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院声学研究所 | 发明（设计）人 | 杨亦春;滕鹏晓 |
| 主分类号 | 10-05 | IPC主分类号 | 10-05 |
| 专利有效期 | 次声传感器(InSYS2008) 至次声传感器(InSYS2008) | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 1.本外观设计产品的名称：次声传感器（InSYS2008）。2.本外观设计产品的用途：用于地震次声波，大爆炸次声波，台风、火山、闪电、火流星、日月食等引起的次声波，大气重力波等自然界次声源的测量，油、气管道泄漏次声波测量。3.本外观设计的设计要点：在于整体的形状。4.最能表明设计要点的图片或者照片：主视图。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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平台保障
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