专利详情

专利名称	一种超微阵列电极的制备方法
申请号	CN201210384966.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102890108A	公开（授权）日	2013.01.23
申请（专利权）人	中国科学院长春应用化学研究所	发明（设计）人	董绍俊;余登斌
主分类号	G01N27/30(2006.01)I	IPC主分类号	G01N27/30(2006.01)I
专利有效期	一种超微阵列电极的制备方法至一种超微阵列电极的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种超微阵列电极的制备方法，包括以下步骤：将电极材料插进玻璃毛细管中，得到第一玻璃毛细管；将多根所述第一玻璃毛细管，插进玻璃管中，所述第一玻璃毛细管与所述玻璃管之间的空隙采用玻璃制品填充，得到第一玻璃管；将所述第一玻璃管灌装导电介质，连接导线，将连接导线后的第一玻璃管密封，得到超微阵列电极。在上述制备超微阵列电极的过程中，由于只采用了两种材料：玻璃和电极材料，且上述两种材料的热膨胀系数相近，因此不易造成玻璃和电极材料的脱离，避免了电极材料、玻璃毛细管和玻璃管之间产生缝隙，从而在测试过程中不会造成测试溶液进入缝隙，使电极具有较高的稳定性。