专利详情

专利名称	单电子磁电阻结构及其应用
申请号	CN200910238510.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101853918A	公开（授权）日	2010.10.06
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	张佳;温振超;张晓光;韩秀峰
主分类号	H01L43/08(2006.01)I	IPC主分类号	H01L43/08(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I;G01R33/09(2006.01)I
专利有效期	单电子磁电阻结构及其应用至单电子磁电阻结构及其应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了单电子磁电阻结构及其应用，例如自旋二极管、自旋晶体管、传感器、磁性随机存取存储器和磁逻辑器件单元。其中，GMR量子点单电子隧穿磁阻结构包括一衬底，及其上的底部导电层、第一势垒层、GMR磁性量子点层、第二势垒层、顶部导电层。双势垒磁性量子点结构包括核心膜层，该核心膜层从下至上包括：底部电极、第一势垒层、磁性量子点层、第二势垒层以及顶部电极。由于本发明结合库仑阻塞效应和隧穿磁电阻效应，利用外磁场控制通过量子点的库仑能级共振隧穿，提高隧穿磁电阻。利用库仑阻塞形成的磁阻设计能有效提高隧穿磁电阻效应，提高在器件应用的信噪比，同时利用单电子隧穿降低了隧穿电流，因此将减小器件应用上的功耗。