一种碳化硅纳米线的制备方法
- 申请号:CN201010210092.8
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院山西煤炭化学研究所
- 公开(公开)号:CN101850972A
- 公开(公开)日:2010.10.06
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种碳化硅纳米线的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201010210092.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN101850972A | 公开(授权)日 | 2010.10.06 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院山西煤炭化学研究所 | 发明(设计)人 | 郭向云;孟帅;靳国强;王英勇 |
| 主分类号 | C01B31/36(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/36(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种碳化硅纳米线的制备方法 至一种碳化硅纳米线的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种碳化硅纳米线的制备方法是把硝酸盐溶解于乙醇或水中,溶液质量分数为0.5%-5%,然后向溶液中加入以正硅酸乙酯或水玻璃为硅源的物质,再将棉花浸渍其中,将棉花取出后,在60-110℃条件下干燥5-30小时,得到碳化硅前驱体;将碳化硅前躯体在氩气保护下,升温至1100-1400℃进行碳热还原反应3-20小时,反应后自然冷却至室温,得到初级反应产物;将初级反应产物在空气中加热到600-800℃,灼烧1-5小时,除去未反应的碳;用体积比为1∶1-5的盐酸与氢氟酸的混合酸浸泡12-48小时,去除产物中多余的二氧化硅,再经洗涤、过滤、烘干,最终得到碳化硅纳米线。本发明具有工艺流程简单、操作安全、设备简单、生产成本低、生产周期短,产品纯度高的优点。 | ||
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