氧化铝光子晶体异质结及其制备方法
- 申请号:CN201110040165.8
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院合肥物质科学研究院
- 公开(公开)号:CN102644112A
- 公开(公开)日:2012.08.22
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 氧化铝光子晶体异质结及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201110040165.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN102644112A | 公开(授权)日 | 2012.08.22 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明(设计)人 | 苏燕;费广涛;张尧 |
| 主分类号 | C30B29/20(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/20(2006.01)I;C30B30/02(2006.01)I;C25D11/04(2006.01)I;C25D11/10(2006.01)I;C25D11/12(2006.01)I |
| 专利有效期 | 氧化铝光子晶体异质结及其制备方法 至氧化铝光子晶体异质结及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种氧化铝光子晶体异质结及其制备方法。异质结为由两种不同长度的周期层各自叠加后无缝接合构成的氧化铝薄膜,其中,周期层由串接的直孔与二分叉孔组成;方法为先将铝片置于草酸溶液中于第一周期性电压下氧化100~200个周期,其中,第一周期性电压的波形为,电压先于0.5min期间按照正弦波规律自VL升高至VH,再于0.5min期间由VH线性降低到0.71VH,接着于4min期间由0.71VH线性降低到VL,其取值分别为30V≤VH≤100V且0.4VH≤VL<0.71VH,再对其进行与第一周期性相同波形和周期的第二周期性氧化,其电压的上、下限分别为p×VH和p×VL,p的取值分别为0.3≤p<1或1<p≤3.3,得带两种周期层的氧化铝片,去掉背面多余的铝后制得目标产物。它可广泛地用于各种光子集成线路中。 | ||
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