专利详情

专利名称	单周期执行高速缓存写命中操作的装置及方法
申请号	CN201210037948.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102646071A	公开（授权）日	2012.08.22
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱伟成;喻庆东;周莉;陈杰
主分类号	G06F12/08(2006.01)I	IPC主分类号	G06F12/08(2006.01)I
专利有效期	单周期执行高速缓存写命中操作的装置及方法至单周期执行高速缓存写命中操作的装置及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种单周期执行高速缓存写命中操作的装置及方法，该装置包括：监控单元，用于监测高速缓存中Data静态存储器写端口的数据和命中信号，如果发生写命中则将待写数据和对应地址的Tag写入缓冲单元；缓冲单元，用于存储和缓冲写命中数据和Tag，并且在操作后将当前缓冲器的状态进行及时的更新；写回单元，用于监测下一次写操作的查询周期，并在这个周期将缓冲单元中的待写回数据写入到高速缓存的Data静态存储器中；命中判定单元，用于判断当前的读操作是否命中了缓冲单元，如果是则将缓冲单元的数据传递给总线，并通知读操作完成。本发明采用缓冲写回和流水线技术，使得单周期即可完成高速缓存写命中操作，有利于系统芯片整体性能提高。