专利详情

专利名称	一种自掩模单结多端三维纳米结构的制备方法
申请号	CN201110008336.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102092675A	公开（授权）日	2011.06.15
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	李无瑕;顾长志;崔阿娟
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种自掩模单结多端三维纳米结构的制备方法至一种自掩模单结多端三维纳米结构的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种自掩模单结多端三维纳米结构的制备方法，涉及纳米结构制备技术，包括：(1)衬底上功能薄膜材料的生长；(2)功能薄膜材料上自掩模微纳米材料的生长；(3)步骤(2)中制备的样品的放置与固定；(4)基于离子束刻蚀的单结多端三维纳米材料结构的制备；(5)对单结多端自由站立的三维纳米结构的各端分别制备电极；(6)得成品。本发明方法在制备中，位置，结构与尺寸精确可控，三维纳米结构的物性与机械性能均匀可靠，为纳米器件物性的稳定，集成度的提高以及与多功能混合集成提供了新的技术途径。