专利详情

专利名称	应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法
申请号	CN201110206037.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102263015A	公开（授权）日	2011.11.30
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	周旭亮;于红艳;王宝军;潘教青;王圩
主分类号	H01L21/205(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/205(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I
专利有效期	应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法至应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底1上生长二氧化硅层；步骤2：采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出多个沟槽；步骤3：分别用piranha、SC2、HF和去离子水清洗，除去沟槽底部剩余的二氧化硅层，露出硅衬底；步骤4：采用低压MOCVD的方法，在沟槽内生长GaAs缓冲层，然后在沟槽内的GaAs缓冲层上生长GaAs顶层；步骤5：采用化学机械抛光的方法，将超出沟槽的GaAs顶层抛光，抛光至与二氧化硅层齐平，完成材料的制备。