专利详情

专利名称	一种半导体器件及其形成方法
申请号	CN201010548655.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102468174A	公开（授权）日	2012.05.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	骆志炯;尹海洲;朱慧珑
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I
专利有效期	一种半导体器件及其形成方法至一种半导体器件及其形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种半导体器件的形成方法，包括：形成材料层，所述材料层暴露伪栅和侧墙并夹于各栅堆叠基体之间，所述材料层材料与所述伪栅材料相同；去除所述伪栅和所述材料层，以形成凹槽；以导电材料填充所述凹槽后，平坦化所述导电材料，以暴露所述侧墙；断开所述侧墙外围的所述导电材料，以形成至少两个导电体，各所述导电体只接于所述侧墙外围一侧的所述有源区，并形成栅堆叠结构和第一接触塞。以及，一种半导体器件。均利于扩大形成接触塞时的工艺窗口。