专利详情

专利名称	一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管
申请号	CN201010531161.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102468332A	公开（授权）日	2012.05.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘梦新;赵发展;刘刚;罗家俊;韩郑生
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管至一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管，包括：从上至下依次为顶层硅、隐埋氧化层和底层硅的绝缘体上硅；自左向右依次设置于顶层硅内的MOS晶体管体区、体接触连接区及体接触区；设置于MOS晶体管体区上表面的正栅氧化层，设置于正栅氧化层上表面的正栅多晶硅层，设置于正栅多晶硅层上表面的正栅多晶硅化物层；设置于正栅多晶硅层左侧的第一侧墙区，以及设置于正栅多晶硅层右侧的第二侧墙区；设置于MOS晶体管体区内部靠近第一侧墙区的漏区，设置于漏区上表面的漏区硅化物层，以及设置于漏区左侧的第一隔离氧化物区。本发明提供的基于绝缘体上硅的MOS晶体管可有效抑制浮体效应对SOI?MOS器件性能的影响。