专利详情

专利名称	堆叠的半导体器件及其制造方法
申请号	CN201010540727.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102468284A	公开（授权）日	2012.05.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	梁擎擎;钟汇才;赵超;朱慧珑
主分类号	H01L25/065(2006.01)I	IPC主分类号	H01L25/065(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L23/535(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	堆叠的半导体器件及其制造方法至堆叠的半导体器件及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种堆叠的半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括半导体衬底，以及位于半导体衬底上的多个层面的晶片组件，其中，每一层面的晶片组件包括有源部件和键合部件，其中，有源部件和键合部件分别包括彼此垂直地对齐的贯穿导电通道，使得每一个层面的有源部件利用贯穿导电通道与下一层面/上一层面的有源部件电连接。该半导体器件及其制造方法可以用作FEOL的后继工艺或包含在半导体芯片的封装工艺中，以提供高集成度和高可靠性的三维半导体器件。