专利详情

专利名称	低压脉冲磁场作用下细晶金属材料制备方法
申请号	CN200810228547.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101733380A	公开（授权）日	2010.06.16
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	杨院生;汪斌;童文辉;李应举;马晓平;冯小辉
主分类号	B22D11/115(2006.01)I	IPC主分类号	B22D11/115(2006.01)I;B22D1/00(2006.01)I
专利有效期	低压脉冲磁场作用下细晶金属材料制备方法至低压脉冲磁场作用下细晶金属材料制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及金属材料制备领域，具体为一种低压脉冲磁场作用下细晶金属材料的制备方法，其工艺简单有效，适用范围广，能耗和成本低。解决了现有技术中设备庞大，电压高，操作安全性差，限制了脉冲磁场在工业生产上的应用和推广等问题。先将金属材料熔化并在一定过热度下保温一定时间，然后将合金熔体浇注到置于脉冲磁场凝固装置中的模具中，使合金熔体在脉冲磁场作用下凝固。脉冲磁场发生电压为10～500V，脉冲频率1～25Hz，作用时间为3～30分钟，浇注温度和模具预热温度由所制备的材料决定。本发明具有不受合金成分限制，可制备大尺寸的均匀细晶铸锭等特点，且具有无污染，节约能源，设备简单，操作简便易行，降低成本和投资等优点。