专利详情

专利名称	使半导体激光器在宽温区可靠工作的低应力封装装置及方法
申请号	CN200910200647.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101741011A	公开（授权）日	2010.06.16
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李耀耀;张永刚;李爱珍
主分类号	H01S5/024(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/024(2006.01)I;H01S5/022(2006.01)I
专利有效期	使半导体激光器在宽温区可靠工作的低应力封装装置及方法至使半导体激光器在宽温区可靠工作的低应力封装装置及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种使半导体激光器在宽温区可靠工作的低应力封装装置和方法，其利用超高真空镀膜仪和本发明的夹具进行热沉上铟焊料的蒸镀，蒸镀工艺中铟焊料的形状及厚度均可控；然后利用本发明的封装夹具将激光器和热沉放入具有还原气氛的烧结炉中进行封装焊接。利用本发明所涉及的封装方法可以实现半导体激光器芯片的铟焊料封装，使得激光器可以稳定工作在宽温区环境下，有利于推动激光器在宽温区环境下的应用。本发明所涉及的封装方法实施过程简单，所设计的夹具结构简单，便于加工，因此本发明方法容易推广，利用激光器芯片封装的产业化。