专利详情

专利名称	一种用高能重离子辐照提高、调制半金属性薄膜材料的磁致电阻的方法
申请号	CN200910117708.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101740715A	公开（授权）日	2010.06.16
申请（专利权）人	中国科学院近代物理研究所	发明（设计）人	孙建荣;王志光;金运范;姚存峰;王瑜玉;魏孔芳;申铁龙;缑洁;臧航
主分类号	H01L43/12(2006.01)I	IPC主分类号	H01L43/12(2006.01)I
专利有效期	一种用高能重离子辐照提高、调制半金属性薄膜材料的磁致电阻的方法至一种用高能重离子辐照提高、调制半金属性薄膜材料的磁致电阻的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种用高能重离子辐照提高、调制半金属性薄膜材料磁致电阻的方法，其措施是：(1)半金属性薄膜的膜厚控制在100纳米到10微米之间；(2)辐照重离子的种类为Aq+，A为选自原子序数10到92号元素中的一种，q+为经加速器剥离过的电荷态数目，为：1≤q≤A的原子序数；(3)辐照重离子的能量范围在100keV到10GeV之间；(4)辐照重离子的辐照量范围为1010ions/cm2到1017ions/cm2。通过本发明方法，能够显著增加以Fe3O4纳米多晶薄膜为代表的半金属性薄膜材料的晶粒绝缘边界、减小表面应力，可以获得高质量的势垒层及势垒界面，使得其室温磁致电阻明显提高并能被施以人为调制。