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一种基于周期金属线的宽带半反半透膜层

  • 申请号:CN200910243549.2
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院光电技术研究所
  • 公开(公开)号:CN101740872A
  • 公开(公开)日:2010.06.16
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种基于周期金属线的宽带半反半透膜层
申请号 CN200910243549.2 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101740872A 公开(授权)日 2010.06.16
申请(专利权)人 中国科学院光电技术研究所 发明(设计)人 胡承刚;冯沁;罗先刚;赵泽宇;崔建华
主分类号 H01Q15/00(2006.01)I IPC主分类号 H01Q15/00(2006.01)I
专利有效期 一种基于周期金属线的宽带半反半透膜层 至一种基于周期金属线的宽带半反半透膜层 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一种基于周期金属线的宽带半反半透膜层,其特征包括以下几点:(1)该膜层由上下两组金属化介质板阵列组成,其整体厚度为d;(2)金属化介质板由介质板以及覆盖在介质板上的金属膜层组成;(3)上下两组金属化介质板阵列均分别由三层单层金属化介质板层叠组成;(4)所有介质板以及板上的金属线均只在一个方向上按相同周期p排列;(5)上(下)组介质板阵列的金属线宽度为w1(w2);(6)上下两组介质板阵列可以互换;(7)所有金属线厚度均为h1;(8)所有介质板厚度均为h2;(9)所有介质板宽度均为w;(10)金属线的宽度w1,w2;膜层整体厚度d;排列周期p均可以同时按照比例k调整。本发明具有制作简便,易于操作,工作频带宽,工作频段任意可调的特性,在微波、太赫兹波段都具有很大的应用前景。

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