专利详情

专利名称	离子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法
申请号	CN200910198960.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101740501A	公开（授权）日	2010.06.16
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	叶振华;黄建;祝海彬;尹文婷;林春;胡晓宁;丁瑞军;何力
主分类号	H01L21/82(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/82(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	离子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法至离子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种离子注入型碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面的光电p-n结修饰方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将离子注入完的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元芯片放置在真空腔体内进行氢等离子体浴处理的光电p-n结列阵修饰的技术方案，有效解决了离子注入型光电p-n结常规修饰方法存在单步工艺时间长、操作复杂和稳定性较差，以及会影响红外光敏感元列阵芯片表面清洁度和介质膜钝化性能的问题。本发明方法具有工艺简单、操作快捷、稳定性高和与探测芯片工艺兼容性好的特点。